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2024新版《碳化硅陶瓷制造新工艺配方精选汇编》


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2024新版《碳化硅陶瓷制造新技术工艺配方精选汇编》(2021.04-2023.12)

2024新版《碳化硅陶瓷制造新技术工艺配方精选汇编》(2021.04-2023.12)

SiC陶瓷不仅具有优良的常温力学性能,如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨损以及低的摩擦系数,而且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料,其高温强度可一直维持到1600℃,是陶瓷材料中高温强度最好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料页数】698页(大16开 A4纸)
【项目数量】70项
【出品单位】国际新技术资料网
【合订本】1580元(上、下册)
【电子版】1360元(PDF文档)(邮箱传送)
【交付方式】中通(免邮费) 顺丰(自付)
【联系电话】13141225688   13641360810

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SiC陶瓷不仅具有优良的常温力学性能,如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨损以及低的摩擦系数,而且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料,其高温强度可一直维持到1600℃,是陶瓷材料中高温强度最好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。


【资料内容】生产工艺、配方
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1    一种3D打印用碳化硅-金刚石复合粉体及其制备方法和应用

先将金刚石与酚醛树脂溶液混合,在低速条件下长时间搅拌混匀,加热成糊状,再进一步真空加热,得到酚醛树脂包覆的金刚石;然后按配比将碳化硅与酚醛树脂包覆的金刚石混匀,将所得混合物进一步均质,得到所述的3D打印用碳化硅?金刚石复合粉体。制备的碳化硅?金刚石复合粉体可以满足粘结剂喷射打印的要求,在低温下采用液相渗硅方式得到复杂形状、致密化的碳化硅?金刚石复合材料部件。


2    一种高比刚度的碳化硅陶瓷及其制备方法

碳化硅陶瓷包括以下重量份的各组分混合压制成型后再烧结制成:碳化硅粉料70~95份,碳化硼粉料0.5~20份,石墨烯0.5~3份,分散剂0.5~2.5份、粘结剂2~5份,表面活性剂0.25~2份。本发明通过向碳化硅陶瓷中同时引入碳化硼和石墨烯,优化碳化硅陶瓷的组成,制备的碳化硅陶瓷在保持导热性和弯曲强度的基础上获得了更高的比刚度,比刚度可提升至142.3×10<supgt;6</supgt; m<supgt;2</supgt;·s<supgt;?2</supgt;,更好的满足碳化硅陶瓷在半导体装备制造中的应用。


3    一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法  

步骤;准备材料:选择适当的碳化硅粉末,选取粒径范围为0.1?10微米的高纯度碳化硅粉末,选择适当的掺杂剂粉末;混合材料:将碳化硅粉末与掺杂剂粉末混合均匀,以确保烧结过程中掺杂剂能够均匀分布在碳化硅陶瓷材料中;压块处理:对混合的碳化硅粉末和掺杂剂粉末进行压块处理,形成均匀的预烧结块体;低温烧结后将预烧结块体在真空或保护气氛中进行烧结。具有良好的力学性能、耐热性和抗氧化性,突破了传统烧结方法的限制,具有很好的应用前景。


4    一种微波制备Si2N2O结合碳化硅陶瓷的方法

借助微波烧结时碳化硅自身的发热实现烧结,Si<subgt;2</subgt;N<subgt;2</subgt;O的热震稳定性和抗氧化性能良好;加热过程减少热能损耗,能源利用率高,Si<subgt;2</subgt;N<subgt;2</subgt;O受热结合均匀度好,制备的Si<subgt;2</subgt;N<subgt;2</subgt;O结合碳化硅制品强度高,抗腐蚀性好,具有广阔的应用前景。


5    一种选择性激光烧结多孔导电陶瓷3D打印耗材及制备方法

选择性激光烧结多孔导电陶瓷3D打印耗材,无需使用造孔剂,制备工艺简单、成本低廉,具备量产的条件,能够在多孔导电陶瓷体无需做成薄片的前提下,解决多孔导电陶瓷雾化芯热熔大和导油储油的技术问题。


6    一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法

按照二氧化硅、氧化铝和碳化硅的摩尔比为2:3:5~100称取硅源、铝源和碳化硅,将其均匀混合后按照一定的成型方法制得坯体;将成型后的坯体置于微波烧结炉中,在烧结气氛保护下,以0.1~3KW/min的速度提升输入功率,升温至900~1300℃后,保温0~1h,得到莫来石结合碳化硅陶瓷。本发明借助微波烧结时碳化硅自身的发热实现烧结,莫来石在高温下可提高制品的抗氧化性能;加热过程能耗低,莫来石产生迅速,结合均匀度好,烧成温度低,保温时间短;制备的莫来石结合碳化硅制品强度高,市场前景广阔。


7    石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法

包括SiC分散?石墨烯分散?混合分散?粉体制备?压制成型?无压烧结等步骤。本发明将石墨烯分散于PVA水溶液中形成石墨烯浆料,然后将石墨烯浆料加入SiC浆料中进行超声和球磨,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中。可减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中,提高石墨烯改性复合材料的性能。利用该方法所得的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料,既保持石墨烯/碳化硅陶瓷复合材料的抗弯强度稳定,又使复合材料的断裂韧性和硬度有所提高。在保证抗弯强度稳定性的条件下,所制备的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的断裂韧性可达4.87MPa·m1/2,硬度可达25.08HV。


8    一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法和应用   

步骤:将碳化硅原料、陶瓷添加剂和烧结助剂混合,得到混合浆料;采用造粒法将所述混合浆料制成混合粉体,并进行干燥;将干燥后的混合粉体3D打印成陶瓷素坯,并进行致密化处理,烧结后得到所述碳化硅陶瓷材料;所述致密化处理包括冷等静压和/或喷涂树脂固化;所述喷涂树脂固化的过程中,树脂的喷涂量为0.1?0.5g/cm2。采用3D打印和致密化处理,得到了碳化硅含量>98%的高纯碳化硅陶瓷材料。解决了传统方法中难于成型复杂结构件的问题,还解决了3D打印陶瓷素坯密度低、强度低的问题,综合提高了材料的致密度和力学性能,降低了生产成本。


9    一种高强耐磨氮化硅结合碳化硅陶瓷及制备方法  

高强耐磨氮化硅结合碳化硅陶瓷,由单质硅粉、碳化硅粉、氮化硅粉、调质剂、结合剂制备而成:调质剂包括Y2O3微纳米颗粒、碳化锆粉、锆粉和碳化钨。采用反应烧结氮化硅结合碳化硅工艺,复合调质剂和原位生成可控的纤维状、柱状Si3N4的耦合作用下,对微观结构与物相组成进行优化设计与可控制备;ZrSi2N4与氮化硅能形成良好的化学结合。该方法制备的耐磨陶瓷具有高强、高硬、高韧的特点,耐磨性、耐腐蚀性、耐冲击性能显著提升,服役寿命延长,大幅度提高相关产业生产效率,同时减少对物料的污染,保证了产品的高性能与稳定性,且具有明显的经济效益。


10    一种反应烧结碳化硅的制备方法 

步骤一、配置主料:炭化粉体、高残炭率树脂、造孔剂、溶剂、表明活性剂;其中,炭化粉体分为:碳化硅微粉、活性炭粉或炭黑其比例为7:3;碳化硅微粉为粒径在6~10μm的绿碳化硅微粉,活性炭粉或炭黑的颗粒粒径均为40~100nm,通过采用的炭化粉体分为:碳化硅微粉、活性炭粉或炭黑其成分环保无毒,使在烧制使产生的烟也不会产生毒气,减少对环境的污染,流程较为简单,能够解决大量的碳化硅肥浪费的问题,降低反应烧结碳的成本,且备料过程中需要将,没有将毛坯筛分成粒状的情况,降低了用烧结时产生的成本。


11    一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件

各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件。该碳化硅陶瓷包括依次叠加的高纯度碳化硅绝缘薄层和含碳高导电薄层;所述碳化硅陶瓷的顶层和底层均为所述高纯度碳化硅绝缘薄层;所述高纯度碳化硅绝缘薄层中,碳硅摩尔比为0.8?2,厚度为0.1?10mm;所述含碳高导电薄层中,碳硅摩尔比为2?15,厚度为0.05?3mm。利用本申请的制备方法能够制得高纯度、高致密度、各向异性电阻率的碳化硅陶瓷,碳化硅陶瓷的电阻率各向异性指数高达101.993。


12    一种高纯高电阻率碳化硅制件及其成型工艺  

该工艺如下:将数字模型切片,并将切片形状分别化学气相沉积高纯高电阻率碳化硅薄片,再将沉积后的高纯高电阻率碳化硅薄片组装烧结得到目标制件。通过控制切片参数,将制件整体“化整为零”,分别沉积,在精确控制成型的基础上,极大地提升了化学气相沉积的制备效率。利用本申请的成型工艺制得的高纯高电阻率碳化硅制件具有高纯度(>99.98%)、高密度(>3.204g/cm3)、机加削减量低(0.4?1%)、高硬度(3405HV)、高电阻率(>4.32×106Ω·cm)等诸多优势,并具备碳化硅材料的耐磨、耐腐蚀、耐高温等本征特性。


13    一种碳化硅陶瓷及其制备方法  

该碳化硅陶瓷的制备方法包括:造粒;成型;包膜;烧结;造粒步骤中:将碳化硅微粉95?97份、高纯度酚醛树脂1?1.5份、导热填料0.2?1.3份以及碳化硼0.5?1份混合均匀后,进行造粒,获得碳化硅粉粒;碳化硅微粉的纯度为95%以上;导热材料中,石墨烯、纳米碳管、炭黑和银粉的重量比为(0.2?2):(0.4?1.8):(0.5?3.5):(0.1?1.2);包膜步骤中,将成型后获得的陶瓷胚体包裹聚乙烯层。通过同时在制备方法中添加导热填料和包裹聚乙烯膜,制得的碳化硅陶瓷低裂纹,具有更好的产品质量和稳定性。


14    一种挤出成型3D打印高固含量高导热碳化硅陶瓷制备方法 

包括:称取一定比例的碳化硅粉体与碳粉,混合均匀形成混合粉体;称取一定质量的水,在水中加入粘结剂以及分散剂混合均匀,在混合好的水溶液中加入混合粉体,搅拌均匀得到打印浆料;将制备好的打印浆料装入料管中,脱气3-10分钟,脱气完的打印浆料放入打印机中,设置好打印机打印参数,打印机逐层打印至预设好形状的坯体;对坯体进行干燥,并将干燥完成的坯体脱脂得到预制体;将预制体进行真空渗硅处理得到致密化的碳化硅陶瓷。工艺步骤简单,可制备高固相含量的打印浆料,有利于碳化硅陶瓷的成型以致密化,且生产出的碳化硅陶瓷件的形状更为复杂精确,致密度和导热率高。


15    一种SiC陶瓷材料及其制备方法

步骤:S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合,然后加入聚碳硅烷,混合均匀后,得混合粉体;S2、将S1得到混合粉体装入模具中,对混合粉体预压后,采用振荡热压烧结,冷却得到SiC陶瓷材料。采用不同粒径的SiC颗粒,按照不同比例进行颗粒级配,加入聚碳硅烷,在不添加烧结助剂条件下,通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。


16    高耐磨的二氧化硅/碳化硅复合陶瓷及其制备方法和应用

所述复合陶瓷包括70~85%的主相和15~30%的结合相,所述主相由粒度3~20mm的SiC陶瓷体和粒度0.001~3mm的SiC颗粒组成,所述SiC陶瓷体为复合陶瓷总重量的10~50%,所述SiC颗粒为复合陶瓷总重量的35~75%,所述结合相包括复合陶瓷重量10~25%的二氧化硅。本发明通过加入粒度在3~20mm的SiC陶瓷体,使二氧化硅/碳化硅复合陶瓷具有高的耐磨性和耐冲击性能,可应用在渣浆泵、旋流器或浮选机领域中。


17    一种碳化硅复相陶瓷及其制备方法  

通过以具有特定参数(粒径、角形系数、堆积密度)的碳化硅粉体为原料,结合3D打印过程中的对铺层粉体进行抽气并低频震动的操作,实现了高密度的碳化硅陶瓷材料素坯,制备得到的碳化硅陶瓷材料素坯的密度可达1.90g/cm3。制备同样素坯密度的碳化硅复相陶瓷材料,降低了后续的增密处理的次数,简化了工艺,节约能源。


18    一种无压液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法  

所述碳化硅陶瓷由素坯依次经过加热脱胶和无压液相烧结后得到,所述素坯由造粒粉体压制而成,所述造粒粉体由浆料经过离心喷雾造粒后得到,所述浆料的组分包括去离子水,所述浆料中除了去离子水外还包括如下重量份的组分:碳化硅原粉100份,烧结助剂3?5份,聚乙烯醇0.5?1.5份,四甲基氢氧化铵0.5?1.5份,尿素0.5?1.5份,脱模剂0.5?1份;所述烧结助剂为含有氧化钇粉体和氧化铝粉体的水分散液。减少了陶瓷产品出现表面过烧和内部欠烧的可能,提高了烧结成功率,减少了对碳化硅原粉的浪费。


19    一种氮化硅质大尺寸高温结构件及其制备方法  

该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂混合,原料采用α?氮化硅粉、β?氮化硅晶须、氧化铝粉、稀土氧化物、硅粉,造粒成型排胶后在低温、低压条件预烧结,随后在高压条件中温烧结,最后在高温低压烧结,其中烧结过程全程采用双层埋粉,内层BN与石墨混合粉,外层SiON与氮化硼、氮化硅混合粉。采用以上工艺制备的大尺寸厚壁(大于30mm)氮化硅高温结构陶瓷:内外颜色均匀、无夹心;烧结体β?氮化硅晶粒直径1?1.5um,长径比范围4?8,嵌于网络结构的四方状氮化锆直径2?3um;HV硬度大于15GPa,室温抗弯强度大于800MPa,900℃抗弯强度大于600MPa,断裂韧性大于7MPa·m<supgt;1/2</supgt;,热膨胀系数2.8?3.1×10<supgt;?6</supgt;。


20    一种高致密度、高导热的碳化硅-氧化铍复合陶瓷及其制备方法 

一种高致密度、高导热的碳化硅?氧化铍复合陶瓷,将碳化硅粉体、氧化铍粉体和助烧剂,经混合、干燥、放电等离子烧结后制备而成;其中,所述碳化硅粉体与氧化铍粉体的质量比为(5?18):1;所述助烧剂质量为所述碳化硅粉体和所述氧化铍粉体总质量的5%?12%。高致密度、高导热的碳化硅?氧化铍复合陶瓷,不仅复合陶瓷的致密度以及组织的均匀性得到了有效的提高,而且有效的提高了复合陶瓷的导热性能。提供了一种高致密度、高导热的碳化硅?氧化铍复合陶瓷的制备方法,不仅可实现碳化硅粉体、氧化铍粉体和助烧剂的快速烧结,有效的提高复合陶瓷的烧结速度,而且节能环保,可有效的防止烧结过程中杂质的产生。


21    一种碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法  

将核桃壳炭粉、硅微粉和石墨烯粉体分别通过球磨机粉碎均匀;将核桃壳炭粉、石墨烯粉体、氟化硅、二氧化硅溶胶、造孔剂、烧结助剂搅拌均匀后,加入分散剂、挤压助剂再进行搅拌,形成混合料;挤压成型,干燥得到碳化硅蜂窝陶瓷坯体;以升温速度20~25℃/h升温至700~800℃,保持1~1.5h,再升温至1100~1300℃保持1~1.5h,停止加热,冷却至50~60℃的温度下,浸入至树脂液中1~1.5h,取出后继续加热至800~1000℃保持2.5~3h,得到碳化硅蜂窝陶瓷。所制得的碳化硅蜂窝陶瓷具有良好的韧性。


22    一种碳化硅陶瓷的制备方法和由该制备方法制备的碳化硅陶瓷材料

包括:以碳化硅粉体为原料,加入烧结助剂和添加剂,在惰性气体或真空气氛中,高温烧结,得到碳化硅陶瓷材料;其中,所述碳化硅粉体经过预处理过程,所述预处理过程为在真空或惰性气氛下高温预烧。提供了一种碳化硅陶瓷的制备方法,尤其适用于大尺寸块体碳化硅陶瓷材料,解决了现有技术中普通粉体不适合大厚度陶瓷烧结的问题。采用本发明的预处理后的碳化硅粉,制得的碳化硅陶瓷材料的厚度为50?150mm,长度为100?400mm,宽度为100?400mm,操作方法简便,适于大规模生产。


23    一种碳化硅陶瓷的制备方法  

提供了一种碳化硅陶瓷的。制备方法,尤其适用于大尺寸块体碳化硅陶瓷,解决了现有技术中脱粘开裂和脱粘不充分的问题。采用本发明脱粘的素坯厚度在50?200mm之间,长度在125?500mm之间,宽度在125?500mm之间,经过烧结后,其厚度在50?150mm之间,长度在100?400mm之间,宽度在100?400mm之间。脱粘后,大尺寸块体陶瓷素坯芯部无残余粘结剂,外观不变形不开裂。


24    一种纳米粉体改性碳化硅-碳化硼复相陶瓷及其制备方法 

提供了上述复相陶瓷的制备方法,包括步骤:(1)一次纳米粉体混合;(2)二次粉体混合;(3)喷雾造粒;(4)压力成型;(5)预烧结;(6)终烧结。本发明能够制备得到硬度、强度均得到提高的SiC?B4C复相陶瓷,提高复相陶瓷性能的均匀性,且烧结温度低,制备效率提高。


25    一种高纯碳化硅陶瓷的制备方法 

步骤:(1)将高纯碳化硅粉体、高纯二氧化硅粉体、高纯纳米碳粉、分散剂和去离子水混合均匀,研磨得到浆料;(2)将浆料烘干至一定程度,粉碎得到粉料;(3)将粉料过筛,并对过筛后获得的粉料进行造粒;(4)将造粒粉压制成素坯;(5)将素坯放入SPS模具中,加压升温至一定温度,保温一段时间,进一步升温至最高温度,保温一段时间,得到高纯碳化硅陶瓷。对高纯碳化硅粉体进行研磨时,同时添加了高纯二氧化硅粉体、高纯纳米碳粉和分散剂,分散剂有助于三种粉体的分散,二氧化硅和碳粉的可在一定条件下生成碳化硅,促进烧结的致密化,提高陶瓷的致密度。


26    一种凝胶注模成型无压烧结制备碳化硅陶瓷的制备方法 

步骤:S1、将碳化硅细粉经聚丙烯酸钠和硅烷偶联剂表面化学改性后,得到改性碳化硅粉体,待用;S2、配置丙烯酰胺、N,N?亚甲基双丙烯酰胺、阻凝剂、去离子水和分散剂,将其搅拌均匀后,加入碳化硼粉体、碳粉以及步骤S1中得到的改性碳化硅粉体,继续搅拌均匀,球混后真空除泡,得到预制混合浆料;S3、对步骤S2中得到的预制混合浆料进行搅拌,同时加入缓聚剂继续搅拌,随后加入氧化还原引发剂,搅拌后,注模,固化后即可形成胚体。本申请将碳化硅粉体进行改性后,并在体系中添加阻凝剂,从而提升了体系的固化含量和固化均度。


27    一种陶瓷材料及其制备工艺

包括以下成分,按重量份配比:碳化硅20?50份、碳化钛7?10份、氧化铝5?8份、氧化镁1?4份、石蜡11?14份、高岭土11?14份、石墨烯1?4份、堇青石11?14份、硅烷偶联剂1?4份、助剂1?2份、无水乙醇40?50份,所述助剂包括消泡剂、稳定剂和增效剂。本发明,通过向碳化物中添加石墨烯、石蜡和高岭土,可提高整体的韧性和耐磨性,避免易碎,且通过向碳化物中添加堇青石和硅烷偶联剂,可提高整体的色泽度,使其更具观赏感。


28    一种SiC复合陶瓷材料的制备方法

包括将SiC粉、WC粉和B源、碳源球磨、干燥后,得到混合粉末;将混合粉末成型、高温脱粘后得到陶瓷素坯;在常压下对陶瓷素坯进行烧结处理,得到WC/SiC复合陶瓷材料。本发明的技术方案制备的WC/SiC复合陶瓷具有优异的力学性能。


29    一种大型复相反应烧结碳化硅制品及制备方法

主原料选用碳化硅颗粒和细粉、碳粉或固碳残留≥30%的液态碳源、硅含量98%以上金属硅粉;金属硅粉的加入量高于Si?C反应的理论配比,其富余量用于形成氮化物结合相;根据制品尺寸形状用半干法模压或湿法注模成型为所需外形,素坯经烘干后装窑;纯氮气气氛,1150?1250℃初步形成部分氮化物;特定温度转换氩气气氛,氮化反应停止,表层和芯部形成β?SiC结合相;最后通入氮气,达到最终烧结。大幅度降低安装周期和成本,生产和应用环节具备节能降耗的效果。


30    一种固相烧结碳化硅制品及其制备方法

步骤:原料研磨:将微米级碳化硅粉末与含硼烧结助剂混合并湿法研磨,得到浆料;喷雾造粒:向浆料中加入水溶性炭黑和粘结剂,搅拌均匀,经过喷雾造粒,得到碳化硅造粒粉体;混料;陈腐:将混料得到的湿粉经过陈腐,得到陈腐料;后处理:将陈腐料经过练泥、挤出、干燥、热处理即可。本申请的制备方法制备的碳化硅制品可用作换热管、辊棒、方梁、微反应管等,其具有制品烧结密度高、抗压强度大、韧性高的优点;另外,本申请的制备方法具有生产成本低、生产效率高的优点。


31    一种改性碳化硅陶瓷及其制备方法    

该制备方法包括(1)将包括碳化硅、氮化钛和复合稀土氧化物的原料进行湿法混合,得到混合粉体;(2)将混合粉体真空烧结,得到素坯,之后进行破碎,得到二次粉体;(3)在氮气保护下,对二次粉体进行热压烧结,得到预烧结体;(4)对预烧结体进行热等静压,得到改性碳化硅陶瓷。本申请通过在碳化硅结构中掺杂氮化钛和复合稀土氧化物,增加碳化硅内部结构中自由移动载流子的数目;另外,还可以降低碳化硅晶格中的氧含量;以及通过烧结过程条件的改变,显著提高碳化硅陶瓷的热导率。


32    一种改性SiC基太阳能热发电用储热陶瓷及其制备方法 

先按质量比为100:(0.5~9)取基础粉料以及改性助烧剂混合均匀,得混合粉料;基础粉料包括SiC、铝矾土和高岭土;向混合粉料中加入水溶性粘结剂溶液,混合均匀得到塑化坯料;塑化坯料经压制成型和干燥,得到干燥坯体;将干燥坯体在不高于1500℃的温度下烧结,得到改性SiC基太阳能热发电用储热陶瓷。本发明制备的储热陶瓷材料不仅储热密度大、抗氧化性能好,而且其制备温度较其他SiC基材料更低、热导率以及机械强度更高,用于太阳能热发电储能系统更易实现大规模量产。


33    一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

其制备过程如下:1)以SiC粉、混合树脂溶液、碳化硼为原料,充分球磨混合均匀后制成生粉,经造粒、模压、冷等静压后制成生坯;2)将生坯在真空条件下以小于100℃/h的升温速度升至700~900℃,保温2~4h并随炉冷却,使其中的混合树脂充分碳化留下孔隙;3)在常压保护气氛下以200~300℃/h的升温速度升至2000~2200℃,随炉冷却后移至空气炉中在400~500℃下煅烧除去多余的碳,即得到该多孔碳化硅陶瓷。本发明制备过程中避免了液相的生成,晶界纯净,其不仅具有良好的常温力学性能,耐高温性能、抗热震性能也比较优异,大大提升高温条件下多孔陶瓷材料性能的稳定性。


34    一种高光敏活性的碳化硅陶瓷浆料及其制备方法 

高光敏活性的碳化硅陶瓷浆料由碳化硅粉体,碳化硼粉体,丙烯酸低聚物,活性稀释剂,光引发剂,助引发剂,以及助剂组成。所述碳化硅粉体的重量百分比含量为66%~72%,所述碳化硼粉体的重量百分比含量为2%~2.2%,所述丙烯酸低聚物的重量百分比含量为2.1~5.7%,所述活性稀释剂的重量百分比含量为16.8%~24.9%,所述光引发剂的重量百分比含量为1.29%~1.71%。所述光引发剂由裂解型自由基光引发剂,夺氢型自由基光引发剂,以及阳离子光引发剂组成。提供的高光敏活性的碳化硅陶瓷浆料可在385nm波长的UV LED冷光源下以最低200mw/cm2的曝光功率下实现表层与深层的固化。


35    一种增韧碳化硅陶瓷及其制备方法

增韧碳化硅陶瓷由包含以下重量份的原料制成:SiC粉60?80份、Si粉3?6份、碳纳米管3?6份、改性酚醛树脂6?8份以及增韧粉末6?9份,所述SiC粉的中位粒径介于0.1?5.0μm;所述Si粉的中位粒径介于0.1?5.0μm;其制备方法为:(1)原始混合粉料制备;(2)原始混合浆料制备;(3)干燥造粒得到原始造粒粉;(4)冲压成型得到增韧碳化硅陶瓷粗胚;(5)烘干得到增韧碳化硅陶瓷毛坯;(6)烧结并冷却得到增韧碳化硅陶瓷。增韧碳化硅陶瓷具有较为优良的力学性能;另外,制备方法具有提高碳化硅陶瓷的力学性能的效果。


36    一种微波制备六铝酸钙结合碳化硅陶瓷的方法

步骤:(1)将铝源、钙源和碳化硅粉体均匀混合后成型制得坯体;(2)将成型后的胚体置于微波烧结炉中,借助碳化硅粉体的吸波特性使材料升温,铝源和钙源发生原位反应,实现六铝酸钙结合碳化硅陶瓷的制备。本方法制备六铝酸钙结合碳化硅陶瓷借助微波烧结时碳化硅自身的发热实现烧结,无需借助外界热源,加入过程能耗低,六铝酸钙烧结迅速,结合均匀度好,烧成温度低,保温时间短,制备的六铝酸钙结合碳化硅制品强度高。


37    一种高强度的熔融金属过滤用多孔碳化硅陶瓷及其制备方法  

针对浸浆法所制备的陶瓷骨架致密度低,通过传统的骨架表面致密化的加工工艺又会明显降低对小尺寸非金属夹杂物的滤除效果的问题。本发明由低孔隙率的陶瓷支撑层包围高孔隙率的陶瓷过滤中心的单元体形成的多孔碳化硅陶瓷基体,并将支撑层外侧包覆陶瓷保护层,从而共同组成高强度的熔融金属过滤用多孔碳化硅陶瓷,该制备方法操作简便,无需二次烧结等额外工序,对设备要求低,适合不同尺寸的大批量生产。


38    一种碳化硅注塑成型工艺    

步骤:S1、原料经过球磨、烘干、破碎过筛得到粉体Ⅰ;S2、使粉体Ⅰ经过冷等静压、破碎、过筛,获得粉体Ⅱ;S3、粉体Ⅱ和粘接剂经过密炼、冷却破碎、过筛获得喂料颗粒;S4、喂料颗粒通过注射成型获得陶瓷生坯;S5、将陶瓷生坯脱蜡浸泡获得坯体;S6、坯体烧结后获得产品。本发明的碳化硅注塑成型通过制备粉料、冷等成型、密炼喂料、注射成型、排蜡脱脂、烧结等工序的相互配合,能够获得注塑密度为3.13~3.17g/cm3、抗弯强度≥390MPa的产品;通过该工艺能够获得更高品质的产品,满足更多高要求应用场景的需求。


39    一种堇青石基微晶玻璃结合碳化硅陶瓷材料及其制备方法 

以堇青石基微晶玻璃为烧结助剂,通过在基体中原位合成的方式添加堇青石晶体,不仅提供了一种低温烧结助剂,而且获得了致密度高、烧结温度低的碳化硅陶瓷材料,对于提高碳化硅陶瓷材料的品质、以及节约产品成本具有重要意义,有利于推广应用和行业技术的进步与发展。


40    一种高性能的碳化硅陶瓷材料及其制备方法

主要是通过将传统硅材料与陶瓷原料以及导电金属粉末原料的混合塑型,通过高温碳化煅烧以及加压塑型得到想要的形状和结构,其具体制备方法步骤包括:A、准备碳化硅陶瓷基础原料;B、对原料进行研磨搅拌混合;C、对充分混合原料进行塑型和采样检测;D、对碳化硅材料进行强压塑型;E、对塑型完成的碳化硅材料进行分区间高温煅烧;F、检测成品和进行基本清洁抛光,主要目的在于解决电池正负极输出和导入时,局部材料过热的难题,同时兼具较好的耐腐蚀性和耐高温、耐磨损性。


41    一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法 

通过提供一种在坩埚本体内设置有多孔隔板,多孔隔板将坩埚内区域自上而下分隔为气相区、上粉体放置区、下粉体放置区的高纯石墨坩埚,并将其用于高温物理气相传输法制备碳化硅陶瓷,通过在碳化硅粉体中加入外加硅粉,并结合粉料分布形态和制备参数的调整实现提高碳化硅陶瓷的生长速率的技术目的。


42    一种大尺寸反应烧结碳化硅陶瓷板材的制备方法  

质量份数比计,称量60~85份碳化硅,5~10份的石墨粉,2~5份的炭黑以及2~4份助剂,搅拌均匀后加5~15份水继续搅拌均匀,然后陈腐,得到泥料;将泥料进行炼泥后采用挤压机挤出成型,得到素坯;烘干后烧结得到碳化硅陶瓷板材。采用站立式装炉方式,可有效的减少大量的开裂,克服了现有技术中干燥时,收缩出现的裂纹。本发明可大批量制备大尺寸碳化硅陶瓷板材,保证其平面度的情况下,克服了现有技术中成型干燥烧结等过程的出现的问题。


43    一种先驱体转化碳化硅陶瓷及其制备方法  

原料通过共混无压烧结进行制备:60%?80%的碳化硅陶瓷粉以及20%?40%的碳化硅陶瓷先驱体。一般的碳化硅陶瓷材料均采用加压成型烧结或热压烧结进行,加压压力大烧结温度高,对设备的要求较高,工艺复杂成本昂贵。相比较传统碳化硅陶瓷制备方法,本发明工艺简单,烧结温度低,对设备要求低,成本低廉。


44    一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法  

步骤:(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料;(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛,制备混合均匀的复合粉体;(C)将复合粉体装入模具中,施加单向压力以得到复合粉体压坯;(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中,在真空环境下炉温升至温度T1后,进行升温加压?降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。利用高温加压?低温无压的真空循环烧结技术,有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题,在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。


45    一种具有低温愈合裂纹能力的陶瓷材料及其制备方法

如下:SiC和Al2O3的混合物:60~80%,TiB2:10~20%,助熔剂:10~20%;按比例称取SiC、Al2O3、TiB2和助溶剂,加入溶剂,湿法球磨5~7h得到球磨液;所得球磨液真空干燥后经100~120目筛过筛,得到混合粉料;所得混合粉料装入模具中,经冷压成型后放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结或热压炉中热压烧结;通过在陶瓷材料基体中添加TiB2来实现材料裂纹愈合的功能,采用的愈合剂TiB2在较低温度下便可以与氧气发生反应生成可以愈合裂纹的TiO2和B2O3,在较短的时间内抗弯强度可以恢复到的80%以上,提高了陶瓷材料的使用寿命,加入的玻璃粉也可以降低烧结温度。


46    一种原位生成堇青石结合SiC的太阳能吸储热球形陶瓷及其制备方法 

太阳能吸储热球形陶瓷的原料包含如下按质量百分比计的组分:SiC粉60%~80%、黑刚玉粉5%~15%、滑石粉5%~15%、高岭土粉3%~5%、氧化铝粉1%~5%、添加剂3%~10%。将原料通过球磨机混料30~60min,加入5%~10%水造粒后陈腐24~48h,得到坯料,加入成球剂通过成球机成球,球形坯体干燥后再通过烧成,太阳能吸储热球形陶瓷,其具有高储热密度、高太阳光吸收率、高热导率等特点。


47    一种各向异性的碳化硅导电陶瓷及其制备方法 

所述各向异性的碳化硅导电陶瓷包括:SiC基体、以及分散在基体中的石墨烯纳米片和烧结助剂;按质量分数100wt%计,所述SiC基体的质量分数为90.5~96.4wt%,GNPs的质量分数为2~8wt%,余量为烧结助剂。


48    采用放电等离子烧结制备氮掺杂导电碳化硅陶瓷的方法

步骤:1)球磨混料:在氧化锆球磨罐中用氧化锆球对氧化铝、氧化钇和碳化硅粉末进行湿法球磨;2)粉末干燥与装配:2.1)球磨后的混合粉末进行过滤筛分,倒入玻璃容器内,然后置于干燥箱中于50~70℃下干燥6h,干燥以后的粉末再用研钵进行手工粉碎;2.2)将混合干燥以后的粉末进行装配,装配容器包括石墨模具和石墨压头;2.3)采用压片机对装配好后的粉末进行预压;3)高温烧结:将预压后的粉末置于放电等离子烧结炉中进行高温烧结。采用放电等离子烧结方法,不仅在较短时间内便可制备出低电阻率和力学性能优良的碳化硅陶瓷,并且可以实现电阻率的精确调控。


49    一种碳化硅陶瓷管制备方法  

高致密性,高加工精度的碳化硅陶瓷管制备方法。所述碳化硅陶瓷管制品组织均匀、具有高致密性,高同轴度。制备方法步骤包括:(1)配置粉末(2)装置调整(3)粉末装填(4)冷等静压成型(5)抽芯截边整理(6)高温烧结。解决了碳化硅陶瓷管的加工变形问题,所制碳化硅陶瓷管适用于核工业等高精度环境。


50    一种自增强碳化硅陶瓷材料的制备方法  

如下:按质量百分比α?SiC粉体:β?SiC粉体:B4C粉体:炭=(92%?94%):(1%?3%):(1%?3%):(2%?4%),称取α?SiC粉体、β?SiC粉体、B4C粉体和炭;原料经混匀干燥过筛后,压制成型,获得素坯;将素坯置于真空管式炉中,进行碳化处理,碳化温度为600?900℃;碳化后试样经无压烧结后,冷却,制得自增强碳化硅陶瓷材料。该方法通过向α?SiC粉体中复配不同粒径尺寸的β?SiC粉体,以制备出具有高密度,高强度,高硬度且组织均匀的固相无压烧结碳化硅陶瓷材料,提高无压烧结碳化硅陶瓷材料的综合性能。


51    一种碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法  

步骤:S1,将碳化硅粉体、氧化铝粉体、聚乙烯醇、硅溶胶、聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素钠,搅拌均匀,球磨处理,最后加入正丁醇,得到陶瓷浆料;S2,将聚氨酯泡沫模板进行预处理后浸入陶瓷浆料;再将聚氨酯泡沫模板干燥,得到陶瓷坯体;S3,将陶瓷坯体进行预烧结处理,得到陶瓷预烧体;S4,将二乙烯基苯、自由基引发剂、晶硅切割粉混合,超声处理,得到硅粉悬浮液;S5,将陶瓷预烧体浸入硅粉悬浮液中,在真空环境保持55~65min,取出陶瓷预烧体于90~110℃中干燥1.5~2.5h,进行表面交联固化反应,得到固化产物;S6,将固化产物进行高温烧结,即得所述的碳化硅泡沫陶瓷。该碳化硅泡沫陶瓷的机械性能好。


52    一种利用粉石英加工碳化硅重结晶烧结高纯陶瓷磨料的方法  

将粉石英、石墨粉按重量比1:0.7混合均匀,通过焙烧炉中进行加热至1700?1800℃,保温进行碳化生成立方碳化硅粉体;然后将步骤一的碳化硅粉体和未反应的粉石英及石墨粉混合物再次进行搅拌混合,混合均匀后,再放入石墨化炉中进行加热,加热至2900?3000℃,保温进行重结晶烧结生成碳化硅颗粒;然后清洗、干燥、破碎并分级得到碳化硅磨料。利用粉石英与石墨混合进行碳化来合成碳化硅粉体,然后再通过对碳化硅粉体与粉石英及石墨粉混合再进行重结晶烧结,制作成高纯碳化硅陶瓷磨料,可以极大的提高碳化硅陶瓷磨料的硬度和强度。


53    耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法及其应用

旨在解决目前氧化铝生产中耐腐蚀碳化硅陶瓷烧结工艺复杂、成本高的技术问题的技术问题。本发明的制备方法为:取α?SiC微粉85~90份、β?SiC微粉5~9份、烧结助剂1~1.2份、分散剂3.5~5份、粘结剂0.3~0.5份,混合得研磨混合料;将所述研磨混合料球磨得浆料;将所述浆料喷雾干燥,造粒;将所述造粒所得的粉料无压烧结;并将所述的耐腐蚀碳化硅陶瓷制备方法制得的材料在氧化铝生产中应用。制备方法成本低、操作简单;不产生二次污染,无废气、废液及废气排放,对环境友好,适合大规模生产。


54    一种玻璃热弯成型用陶瓷模具及其制备方法   

通过该原料制备获得的陶瓷模具,具有优异的抗氧化性能,较高且易于机械加工的硬度,耐磨损性能优异,使用寿命为石墨材料的3~5倍,并且具有较佳的致密性。该制备方法包括将上述玻璃热弯成型用陶瓷模具的原料混合均匀成混合料,干燥混合料,压制成型并烧结。采用特定的烧结工艺对压制成型的坯料进行烧结,制得产品在400~1100℃条件下与玻璃不浸润,抗氧化性能优异,硬度高,易于机械加工,耐磨损性能优异。


55    一种SiC陶瓷结构件及其制备方法 

首先选择合适的颗粒级配混合均匀粉末后打印成型,通过冷等静压技术处理陶瓷坯体,使得陶瓷坯体中的粉末颗粒排列更为紧密,提高陶瓷坯体的致密度;再通过渗硅反应烧结,使得单质硅与单质碳颗粒在烧结过程中形成SiC,减少了试件中单质硅的存在,反应生成的SiC使得试件的致密度进一步提高,降低了试件的孔隙率,提升试件的力学性能;该方法首次在3D打印SiC陶瓷时,将C粉作为原料之一并调整C粉和SiC粉的颗粒级配,为后续的冷等静压和反应烧结做准备。制得的结构件密度为3.01~3.11g/cm3,弯曲强度为290~330MPa。


56    一种碳化硅陶瓷制品及其制备方法    

包括骨料、粉料和结合剂,骨料与粉料按下述重量份配置而成:骨料与粉料的重量配比为:骨料∶粉料=55~65∶35~45;骨料为碳化硅颗粒;粉料为堇青石细粉、氧化铝细粉和金属铝粉;粉料的重量配比为:堇青石细粉∶氧化铝细粉:金属铝粉=70~80∶20~30∶2~5;结合剂为水溶性环氧树脂、水溶性酚醛树脂、水溶性呋喃树脂中的任意一种或两种组合,结合剂的加入量为骨料、粉料总重量的2~4%;通过原料配比、浆料制备、成型和高温烧成步骤制备而成;所制备的陶瓷制品既具有碳化硅优良的高温性能,同时也具有非常优良的热震稳定性,能够有效地提高碳化硅窑具制品的使用寿命。


57    一种无压烧结碳化硅防弹陶瓷及其制备方法 

包含以下组分:碳化物A96.5?98.5份、碳化物B1.1?1.8份、硼化物0.1?1份、树脂12?18份、氧化物1?3份、分散剂0.15?0.45份;在制备工艺上采用封闭式湿法连续研磨方式,减小了研磨过程中的原料污染,采用自制碳化硅球作为研磨介质,实现无污染研磨,降低了粉体提纯的难度,采用雾化造粒配方与工艺,使造粒粉的技术指标达到进口同类产品的技术要求,采用本发明工艺制备的碳化硅防弹陶瓷韧性好,强度高。


58    一种高强度陶瓷制品及其制备方法  

包括陶瓷素坯和施加在所述陶瓷素坯表面的透明陶瓷釉,陶瓷素坯的原料包括以下重量份的组分:碳化硅45~70份、白云石8~15份、氧化铝1~5份、长石16~40份、石英7~18份、高岭土20~40份、方解石5~16份、硼化镧1~5份、氧化钛0.3~2.5份、二硒化铌0.1~1.2份、水5~35份。该陶瓷制品具有较佳的机械强度、抗龟裂性能和耐磨性能,因而其陶瓷本体强度高、抗摔性能强。且制备方法简单,易于大规模生产。


59    一种改性木质基碳化硅陶瓷材料的制备方法   

分别称量一定质量的木粉、硅粉、环氧树脂,称量后计算总质量,待用;称量一定质量的氧化石墨烯,氧化石墨烯的质量为所述的总质量的1~5%,将称量好的氧化石墨烯与步骤1称量的木粉、硅粉、环氧树脂混合,搅拌均匀后,置于烘箱中干燥,得到第一混合物,待用;将第一混合物,分别进行预热压或烘干处理,处理后得到的样品在氮气的保护下,程序控温进行烧结反应,反应后制得改性木质基碳化硅陶瓷材料。操作方法简便,具备更小的质量变化率、更好的耐腐蚀性、吸附性能、导电性能。


60    一种渣浆泵用氮化物结合碳化硅耐磨陶瓷件的制备方法 

渣浆泵用氮化物结合碳化硅耐磨陶瓷件的制备方法以碳化硅为主要原料,并引入D50<0.5μm改性金属硅粉;改性金属硅粉与碳化硅的加入量为1~10%:90%~99%;与结合剂和水混成浇注料后,注入模具振动浇注成型,经养护、烘干后烧成制得制品。本发明节能降耗效果明显,最大限度实现材料本身的高耐磨性,提高渣浆泵用氮化物结合碳化硅耐磨陶瓷件的全生命周期服役能力;该渣浆泵用氮化物结合碳化硅耐磨陶瓷件经过高温烧成,不受使用环境温度的限制。


61    一种细粉碳化硅陶瓷及其制备方法 

以晶硅片切割刃料尾料细粉为细粉原料反应烧结碳化硅陶瓷,极大降低了制备成本,原料粉体通过化学法除杂,在混料机内将原料碳化硅细粉、炭黑、分散剂、减水剂和分散介质混合均匀,注浆成型后烘干,最后高温渗硅,制备出性能优异的细化碳化硅陶瓷。本发明提供的制备方法,工艺简单,以成本极低的晶硅片切割刃料尾料细粉为细粉原料反应烧结SiC陶瓷,极大降低了制备成本,所制得的细粉碳化硅陶瓷机械性能好,致密度高,具有比普通SiC陶瓷具有更高的强度和硬度等优异的性能,具有十分广阔的市场空间和良好的经济及社会效益。


62    一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法  

步骤如下:制备烧结助剂,所述烧结助剂由锌粉、氟硅酸锌和硼铝酸锶组成;称取碳化硅和烧结助剂,球磨混合获,然后进行负压蒸干后,粉碎,过筛,并模压成型,获得坯体;将坯体送入气氛烧结炉中,升温至460?470℃,保温2?3h,然后向气氛烧结炉内通入空气,升温至1720?1740℃,保温2?3h,随炉冷却后,即可。本发明制备的碳化硅陶瓷材料致密度良好,且具有良好的抗弯强度,烧结温度低,降低了制造过程中的能耗,能够满足市场需求,具有广阔的市场前景。


63    一种常压固相烧结碳化硅陶瓷3D打印线材及其制备方法和应用 

包括:(1)将碳化硅陶瓷粉体、含硼烧结助剂、碳烧结助剂、分散剂和溶剂混合,得到混合浆料;(2)将所得混合浆料经过烘干或喷雾干燥,得到混合粉体;(3)将所得混合粉体中加入塑性成型剂,搅拌混合均匀后,然后在180~250℃高温混合12~24h,得到泥料;(4)根据所述塑性成型剂的特性,设置加热温度和挤出温度,挤出成型,得到常压固相烧结碳化硅陶瓷3D打印用陶瓷线材。


64    高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法 

采用可控氧化包覆法制备SiC@SiO<subgt;2</subgt;微纳复合粉末,将SiC@SiO<subgt;2</subgt;微纳复合粉末与光敏树脂、碳源树脂和预聚物树脂和光引发剂和分散剂后得到碳化硅陶瓷浆料。将打印的SiC@SiO<subgt;2</subgt;陶瓷坯体采用两步烧结方法,得到碳化硅陶瓷。成型的具有复杂结构的碳化硅坯体最小精度高达80μm,该数值与背景技术报道光固化碳化硅结构最小精度相比,提升至12.5倍。烧结方法既消除或减少引入的SiO<subgt;2</subgt;包覆层,又保证了碳化硅精细复杂结构的间隙不被明显堵塞。


65    一种碳化硅陶瓷材料的制备方法及碳化硅多孔陶瓷燃烧器  

方法包括提供多孔结构骨架,制备底层和面层浆料,挂浆及固化,热处理等。设计特殊成分的3D打印料,采用3D打印的方式制备高精度的多孔骨架,并采用两种成分的浆料分别进行底层挂浆固化和面层挂浆固化,底层与骨架结合性更好,面层具有良好的保护作用,使制备出的多孔碳化硅材料具有更好的耐高温、抗热震性、高热导率的优势,碳化硅陶瓷材料在70%孔隙率时,抗压强度在35MPa以上,室温导热率达到45W/m·k以上;且强度高、抗裂性好,能够延长使用寿命。波纹状多孔碳化硅材料在燃烧器壳体中交错堆叠,具有良好的抗热震性,具有良好的实用价值。


66    一种碳化硅超细粉的改性方法及凝胶注无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法 

依次通过砂磨的方式对碳化硅超细粉原料进行颗粒整形,整形后的碳化硅粉体浆料依次经离心、干燥后,得到干粉;再利用改性剂对干粉进一步表面改性,改性剂包括邻苯二甲酸和四甲基氢氧化铵溶液中的至少一种;所得到的改性浆料经干燥处理后,得到改性碳化硅细粉。制得的改性碳化硅超细粉的浆料形式,即改性浆料,体积固含量能够达到55%,且粘度低于1Pa.s,能够满足凝胶注成型对碳化硅浆料的需求。并且进一步将得到的改性浆料用于凝胶注无压烧结制备碳化硅陶瓷中,实现了较好的制备效果。


67    一种碳化硅陶瓷产品及其制备方法和一种碳化硅陶瓷埚帮 

将混合料注入模具后进行压制,脱模得到坯体;将所得坯体顺次进行低温干燥和高温干燥,得到干燥坯体;在真空条件下,将所得干燥坯体进行碳化,得到碳化坯体;向所得碳化坯体的中空位置撒上硅粉后,在真空条件下进行烧结,得到碳化硅陶瓷产品。碳化硅陶瓷产品可以为碳化硅陶瓷埚帮。本发明制备的碳化硅陶瓷埚帮在使用时不与硅蒸汽发生反应,同时具有较好的抗氧化性,可大幅度提升硅帮的使用寿命。


68    一种高导热金刚石-碳化硅复相陶瓷的制备方法及散热基板   

包括将第一金刚石、第二金刚石、第三金刚石、粘结剂溶液混合、成型和冷等静压处理得到坯体,然后进行脱脂、渗硅处理得到金刚石?碳化硅复相陶瓷并制成散热基板。技术方案提高了基体内金刚石含量和降低了游离硅含量,从而提高了金刚石?碳化硅复相陶瓷的综合性能。


69    一种表面氧化修饰碳化硅粉的陶瓷浆料3D打印方法 

通过物理改性的手段使颗粒氧化可以改变浆料的流变行为,降低粉体吸光度,提高粉体折射率,从而可以制备出高固相含量的浆料。之后将改性后的碳化硅粉与分散剂和光引发剂以恰当的比例制备出分散性较好的碳化硅陶瓷浆料。分散剂不仅合理的降低的浆料的粘度,也使碳化硅浆料分散的更加均匀,与选择的光引发剂合理的复配使用,提高了浆料的固化深度,使得碳化硅陶瓷坯体的成品率提高。


70    一种无压固相烧结压制成型制备纤维增韧碳化硅陶瓷阀件的方法   

具体步骤包括:造粒粉的制备,短切碳纤维的解束,解束碳纤维包覆造粒粉,造粒粉混合,阀件成型、烧结和后加工处理。本发明制得的碳化硅陶瓷阀件韧性好,强度高,性能均匀性好,服役可靠性高;方法工艺简单、生产成本低、生产效率高,适于产业化制备高性能的碳化硅陶瓷阀件。

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